Научно-исследовательская работа «Разделение кристаллических пластин методом скрайбирования»

Данная работа посвящена проблеме разделения монокристаллических пластин на производстве фотонных интегральных схем и экспериментальному поиску ее решения. Актуальность работы объясняется её практической применимостью, связанной с массовым выпуском полупроводниковых подложек для различных приборов. Целью данной  работы является исследование возможности применения контролируемых методов скрайбирования и разделения полупроводниковых подложек на установке Scribe S100-4, позволяющей делать риски различных размеров, по которым производится дальнейший разлом. А также оценка качества граней полученных кристаллов.

В соответствии с обозначенной целью, автором были поставлены и успешно решены следующие задачи:

• Подобрать оптимальную силу давления алмазного наконечника на образец;
• Определить длину риски для каждого исследуемого материала;
• Определить угол наклона срайбирующего элемента;
• Выявить возможные факторы, влияющие на качество граней кристалла после разлома.

Объект исследования — процесс скрайбирования и разделения полупроводниковых подложек на установке Scribe S100-4.

Предметом исследования являются полупроводниковые пластины кремния фосфида индия.

Для достижения поставленной цели и решения выделенных задач используются следующие теоретические методы исследования — это, в первую очередь, метод анализ и синтез, а также методы сравнения, систематизации и компьютерного моделирования

На данном этапе исследований были достигнуты важные результаты:

• Исследовано поведение различных образцов при скрайбировании и выявлены оптимальные характеристики, которыми должен обладать кристалл для разделения на установке Scribe S100-4
• Проведенное исследование показало, что проблема разделения кристаллических пластин может быть решена только для части монокристаллических материалов.